个人简介

王阳元，男，1935年1月生，汉，中国共产党党员，浙江宁波人。1958年毕业于北京大学物理系；1958年至今在北京大学工作，1982年至1983年美国加州大学伯克利分校高级访问学者。1995年当选为中国科学院信息技术科学部院士。王阳元现为北京大学信息科学技术学院教授(1985年)、微电子学研究院首席科学家。
王阳元主要从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪70年代主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器,是我国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。80年代提出了多晶硅薄膜"应力增强"氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，被国际同行认为"对许多研究者都有重要意义"，"对实践有重要的指导意义"。研究了硅化物薄膜及深亚微米CMOS电路的硅化物／多晶硅复合栅结构；发现磷掺杂对固相外延速率增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用；90年代在SOI/CMOS器件方面，提出了器件浮体效应模型的工艺设计技术。研究成功了多种新型器件和电路；与合作者一起提出了多晶硅发射极晶体管的新的解析模型，开发了成套的先进工艺技术，对独立自主发展我国集成电路产业有重要意义。90年代后期研究微机电系统（MEMS），任国家重点实验室主任，主持开发了三套具有自主知识产权的MEMS工艺，开发了多种新型器件并向产业转化，获得一批发明专利。近期又致力于研究纳米级集成电路。在任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，使我国进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列。为推动我国微电子产业的发展，作为发起人之一，创建中芯国际集成电路制造有限公司，领导建设成功了我国第一条12英寸纳米级集成电路生产线，使我国集成电路大生产技术水平处于国际先进水平。共培养百名硕士、博士和博士后。发表科研论文230多篇，出版著作6部。
王阳元有20项重大科技成果。1978年获全国科学大会奖，1991年获国家教委科技进步一等奖，2003年获何梁何利科技进步奖，2007年获国家科技进步二等奖，等19项国家级和部委级奖励。
王阳元长期担任中国电子学会副理事长，《半导体学报》和《电子学报》（英文版）副主编。信息产业部科技委委员(电子)，美国IEEE Fellow和英国IEE Fellow 等。

内容简介

现今，集成电路技术飞速发展，集成电路市场迅猛扩大，集成电路已经成为信息社会的基石，集成电路正在改变着人类社会的生产和生活方式。值此集成电路发明50周年之际，为推进我国集成电路产业的发展特撰写本书。
全书共15章，从经济、技术、管理、市场等不同角度和不同层面描述了世界集成电路科技与产业的发展环境；回顾了集成电路产业的历史进程和规律性的轨迹；论述了集成电路产业的战略性与市场性；探讨了我国集成电路产业发展面临的机遇与问题；展示了今后集成电路科技和产业发展的动向；提出了调整产业结构中可供参考的研发与营运模式以及建设集成电路产业强国的发展思路。
本书可作为高等院校信息技术及微电子专业师生的参考书，也可供相关领域的技术人员、科研人员及科技管理人员阅读使用。