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模拟CMOS集成电路设计

作者:(美)拉扎维 著,陈贵灿 等译

出版社:西安交通大学出版社

出版日期:2003年02月
个人简介
毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成,高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
内容简介
本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
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