内容简介

陶瓷材料在国防、机械、化工、冶金、电子等领域中具有广泛的用途。在众多的陶瓷材料中，碳化硅(SiC)由于其硬度高、高温稳定性好、膨胀系数低和热传导性优良，一直是世界各国材料学者研究的热点。1974年，美国科学家S．Prochazke首次通过无压烧结工艺成功制备出致密的SiC陶瓷材料之后，SiC才真正作为陶瓷材料而得到应用。经过几十年的发展，SiC陶瓷的性能在不断提高，在各行各业的应用也越来越广泛，已经成为发展迅速的几种陶瓷材料之一。但由于SiC陶瓷所固有的脆性，其使用范围并没有达到人们的预期。
最近几十年来；我国SiC陶瓷材料的研究和生产都取得了很大的发展，国内出现了许多专门从事SiC陶瓷材料研究和生产的单位，并不断有各种类型的SiC产品出现，SiC陶瓷材料在国民经济建设中的作用也正在逐步显现。但目前，我国SiC陶瓷材料的制品水平和国外相比还有一定的差距。
目前SiC陶瓷材料的发展方向，一是追求SiC粉体的超细化，二是通过复合方法追求SiC陶瓷材料的高韧性，三是通过改进制备工艺，追求制品的低成本化。本书介绍了SiC粉体制备和SiC陶瓷致密化烧结的最新发展，并着重介绍了碳热还原法和湿化学制备SiC超细粉体的方法，以及液相烧结制备SiC—YAG陶瓷复合材料的过程，可以作为从事siC陶瓷材料研究和生产人员的参考。